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利用模拟对SiC双极性器件的开发

邓隐北;李烨;刘瑞红;吴晓静;松永慎一郎;武井学;郑州大学;河南科诚节能环保检测技术有限公司;

摘要: 在宽禁带(wide band-gap)半导体的Si C器件中,为实现1.3k V以上的高耐压,双极性器件被认为是有利的。富士电机公司对模拟的预测与实测结果之差异进行分析,通过反复修改参数,进一步提高了预测精度。实施了耐压特性模拟、顺向特性模拟和开关特性模拟,然后在参数中反映出测量的物理性能值,并考虑到界面电荷和寄生阻抗,结果可以高精度的再现实际器件的特性。
关键词:碳化硅(SiC);双极性器件;模拟耐压特性;顺向特性;开关特性;

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